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计算机术语名词解释第三讲：内存术语解释

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计算机术语名词解释第三讲：内存术语解释

篇1：计算机术语名词解释第三讲：内存术语解释

三、内存术语解释

BANK：BANK是指内存插槽de计算单位(也有人称为记忆库)，它是计算机系统与内存间资料汇流de基本运作单位.

内存de速度：内存de速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗费de时间来计算，为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位.

内存模块 (Memory Module)：提到内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips，而这内存芯片通常是DRAM芯片，但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC de主机板上de专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)de数量和个别芯片(chips)de容量，是决定内存模块de 设计de主要因素.

SIMM (Single In-line Memory Module)：电路板上面焊有数目不等de记忆IC，可分为以下2种型态：

72PIN：72脚位de单面内存模块是用来支持32位de数据处理量.

30PIN：30脚位de单面内存模块是用来支持8位de数据处理量.

DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN）用来支持64位或是更宽de总线，而且只用3.3伏特de电压，通常用在64位de桌上型计算机或是服务器.

RIMM：RIMM模块是下一世代de内存模块主要规格之一，它是Intel公司于推出芯片组所支持de内存模块，其频宽高达1.6Gbyte/sec.

SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）：这是一种改良型deDIMM模块，比一般deDIMM模块来得小，应用于笔记型计算机、列表机、传真机或是各种终端机等.

PLL：为锁相回路,用来统一整合时脉讯号,使内存能正确de存取资料.

Rambus 内存模块（184PIN）：采用Direct RDRAMde内存模块，称之为RIMM模块，该模块有184pin脚，资料de输出方式为串行，与现行使用deDIMM模块168pin，并列输出de架构有很大de差异.

6层板和4层板(6 layers V.S. 4 layers)：指de是电路印刷板PCB Printed Circuit Board用6层或4层de玻璃纤维做成，通常SDRAM会使用6层板，虽然会增加PCBde成本但却可免除噪声de干扰，而4层板虽可降低PCBde成本但效能较差.

SPD：为Serial Presence Detect de缩写，它是烧录在EEPROM内de码，以往开机时BIOS必须侦测memory，但有了SPD就不必再去作侦测de动作，而由BIOS直接读取 SPD取得内存de相关资料.

Parity和ECCde比较：同位检查码(parity check codes)被广泛地使用在侦错码(error detection codes)上，他们增加一个检查位给每个资料de字元(或字节)，并且能够侦测到一个字符中所有奇(偶)同位de错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误.

缓冲器和无缓冲器（Buffer V.S. Unbuffer）：有缓冲器deDIMM 是用来改善时序(timing)问题de一种方法无缓冲器deDIMM虽然可被设计用于系统上，但它只能支援四条DIMM.若将无缓冲器deDIMM用于速度为100Mhzde主机板上de话，将会有存取不良de影响.而有缓冲器deDIMM则可使用四条以上de内存，但是若使用de缓冲器速度不够快de 话会影响其执行效果.换言之，有缓冲器deDIMM虽有速度变慢之虞，但它可以支持更多DIMMde使用.

自我充电 (Self-Refresh)：DRAM内部具有独立且内建de充电电路于一定时间内做自我充电，通常用在笔记型计算机或可携式计算机等de省电需求高de计算机.

预充电时间 (CAS Latency)：通常简称CL.例如CL=3，表示计算机系统自主存储器读取第一笔资料时，所需de准备时间为3个外部时脉 (System clock).CL2与CL3de差异仅在第一次读取资料所需准备时间，相差一个时脉，对整个系统de效能并无显著影响.

时钟信号 (Clock)：时钟信号是提供给同步内存做讯号同步之用，同步记忆体de存取动作必需与时钟信号同步.

电子工程设计发展联合会议 (JEDEC)：JEDEC大部分是由从事设计、发明de制造业尤以有关计算机记忆模块所组成de一个团体财团，一般工业所生产de记忆体产品大多以JEDEC所制定de标准为评量.

只读存储器ROM (Read Only Memory)：ROM是一种只能读取而不能写入资料之记 W体，因为这个特所以最常见de就是主机板上de BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)因为BISO是计算机开机必备de基本硬件设定用来与外围做为低阶通信接口，所以BISO之程式烧录于ROM中以避免随意被清除资料（计算机基础知识，电脑知识入门学习，请到www.pc6c.com电脑知识网）.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：为一种将资料写入后即使在电源关闭de情况下，也可以保留一段相当长de时间，且写入资料时不需要另外提高电压，只要写入某一些句柄，就可以把资料写入内存中了.

EPROM (Erasable Programmable ROM)：为一种可以透过紫外线de照射将其内部de资料清除掉之后，再用烧录器之类de设备将资料烧录进 EPROM内，优点为可以重复de烧录资料.

程序规画de只读存储器 (PROM)：是一种可存程序de内存，因为只能写一次资料，所以它一旦被写入资料若有错误，是无法改变de且无法再存其它资料，所以只要写错资料这颗内存就无法回收重新使用.

MASK ROM：是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据deROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本一样de ROM，这一种做为大量生产deROM样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中de资料永远无法做修改.

随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入de内存，我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同.但是RAM必须由稳定流畅de电力来保持它本身de稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头de资料将随之消失.

动态随机存取内存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory de缩写，通常是计算机内de主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内de资料须持续地存取不然

资料会不见.

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良deDRAM，大多数为72IPN或30PINde模块，FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512 bite 到数 Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新读取时，就可读取各page内de资

料.

EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDOde存取速度比传统DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PINde模块.

SDRAM：Synchronous DRAM 是一种新deDRAM架构de技术；它运用晶片内declock使输入及输出能同步进行.所谓clock同步是指记忆体时脉与CPUde时脉能同步存取资料.SDRAM节省执行指令及数据传输de时间，故可提升计算机效率.

DDR：DDR 是一种更高速de同步内存，DDR SDRAM为168PINdeDIMM模块，它比SDRAMde传输速率更快， DDRde设计是应用在服务器、工作站及数据传输等较高速需求之系统.

DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有deSLDRAM联盟于19解散后将既有de研发成果与DDR整合之后de未来新标准.DDRIIde详细规格目前尚未确定.

DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代de主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有de接脚都连结到一个共同deBus，这样不但可以减少控制器de体积，已可以增加资料传送de效率.

RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司独立设计完成，它de速度约一般DRAMde10倍以上，虽有这样强de效能，但使用后内存控制器需要相当大de改变，所以目前这一类de内存大多使用在游戏机器或者专业de图形加速适配卡上.

VRAM (Video RAM)：与DRAM最大de不同在于其有两组输出及输入口，所以可以同时一边读入，一边输出资料.

WRAM (Window RAM)：属于VRAMde改良版，其不同之处在于其控制线路有一、二十组de输入/输出控制器，并采用EDOde资料存取模式

MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM de内部分成数个各别不同de小储存库 (BANK)，也就是数个属立de小单位矩阵所构成.每个储存库之间以高于外部de资料速度相互连接，其应用于高速显示卡或加速卡中.

静态随机处理内存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是Static Random Access Memory de缩写，通常比一般de动态随机处理内存处理速度更快更稳定.所谓静态de意义是指内存资料可以常驻而不须随时存取.因为此种特性，静态随机处理内存通常被用来做高速缓存.

Async SRAM：为异步SRAM这是一种较为旧型deSRAM，通常被用于电脑上de Level 2 Cache上，它在运作时独立于计算机de系统时脉外.

Sync SRAM：为同步SRAM，它de工作时脉与系统是同步de.

SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以区块Block为单位，个别地取回或修改存取de资料，减少内存整体读写de次数增加绘图控制器.

高速缓存 (Cache Ram)：为一种高速度de内存是被设计用来处理运作CPU.快取记忆体是利用 SRAM de颗粒来做内存.因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal).外接方式是将内存放在主机板上也称为 Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Leve

l 2 Cache.

PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一种标准de卡片型扩充接口，多半用于笔记型计算机上或是其它外围产品，其种类可以分为：

Type 1：3.3mmde厚度，常作成SRAM、Flash RAM de记忆卡以及最近打印机所使用deDRAM记忆卡.

Type 2：5.5mmde厚度，通常设计为笔记计算机所使用de调制解调器接口(Modem).

Type 3：10.5mmde厚度，被运用为连接硬盘deATA接口.

Type 4：小型dePCMCIA卡，大部用于数字相机.

FLASH：Flash内存比较像是一种储存装置，因为当电源关掉后储存在Flash内存中de资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本de资料清除掉，然后才能再写入新de资料，缺点为写入资料de速度太慢.

重新标示过de内存模块（Remark Memory Module）：在内存市场许多商家都会贩售重新标示过de内存模块，所谓重新标示过de内存模块就是将芯片Chip上de标示变更过，使其所显示出错误 de讯息以提供商家赚取更多de利润.一般说来，业者会标示成较快de速度将( -7改成-6)或将没有厂牌de改为有厂牌de.要避免购买到这方面de产品，最佳de方法就是向好声誉de供货商来购买顶级芯片制造商产品.

内存de充电 (Refresh)：主存储器是DRAM组合而成，其电容需不断充电以保持资料de正确.一般有2K与4K Refreshde分类，而2K比4K有较快速deRefresh但2K比4K耗电.

篇2：计算机术语名词解释第三讲：内存术语解释(一)

三、内存术语解释

BANK：BANK是指内存插槽de计算单位(也有人称为记忆库)，它是计算机系统与内存间资料汇流de基本运作单位.

内存de速度：内存de速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗费de时间来计算，为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位.

SIMM (Single In-line Memory Module)：电路板上面焊有数目不等de记忆IC，可分为以下2种型态：

72PIN：72脚位de单面内存模块是用来支持32位de数据处理量.

30PIN：30脚位de单面内存模块是用来支持8位de数据处理量.

DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN）用来支持64位或是更宽de总线，而且只用3.3伏特de电压，通常用在64位de桌上型计算机或是服务器.

RIMM：RIMM模块是下一世代de内存模块主要规格之一，它是Intel公司于年推出芯片组所支持de内存模块，其频宽高达1.6Gbyte/sec.

PLL：为锁相回路,用来统一整合时脉讯号,使内存能正确de存取资料.

缓冲器和无缓冲器（Buffer V.S. Unbuffer）：有缓冲器deDIMM 是用来改善时序(timing)问题de一种方法无缓冲器deDIMM虽然可被设计用于系统上，但它只能支援四条DIMM.若将无缓冲器deDIMM用于速度为100Mhzde主机

篇3：计算机术语名词解释第一讲：CPU术语解释

一、CPU术语解释

3DNow!： (3D no waiting)AMD公司开发deSIMD指令集，可以增强浮点和多媒体运算de速度，它de指令数为21条.

ALU： (Arithmetic Logic Unit，算术逻辑单元)在处理器之中用于计算de那一部分，与其同级de有数据传输单元和分支单元.

BGA：(Ball Grid Array，球状矩阵排列)一种芯片封装形式，例：82443BX.

BHT： (branch prediction table，分支预测表)处理器用于决定分支行动方向de数值表.

BPU：(Branch Processing Unit，分支处理单元)CPU中用来做分支处理de那一个区域.

Brach Pediction：（分支预测）从P5时代开始de一种先进de数据处理方法，由CPU来判断程序分支de进行方向，能够更快运算速度.

CMOS：（Complementary metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）它是一类特殊de芯片，最常见de用途是主板deBIOS（Basic Input/Output System，基本输入/输出系统）.

CISC： (Complex Instruction Set Computing，复杂指令集计算机)相对于RISC而言，它de指令位数较长，所以称为复杂指令.如：x86指令长度为87位.

COB： (Cache on board，板上集成缓存)在处理器卡上集成de缓存，通常指de是二级缓存，例：奔腾II

COD： (Cache on Die，芯片内集成缓存)在处理器芯片内部集成de缓存，通常指de是二级缓存，例：PGA赛扬370

CPGA： (Ceramic Pin Grid Array，陶瓷针型栅格阵列)一种芯片封装形式.

CPU： (Center Processing Unit，中央处理器)计算机系统de大脑，用于控制和管理整个机器de运作，并执行计算任务.

Data Forwarding：（数据前送）CPU在一个时钟周期内，把一个单元de输出值内容拷贝到另一个单元de输入值中.

Decode：（指令解码）由于X86指令de长度不一致，必须用一个单元进行“翻译”，真正de内核按翻译后要求来工作.

EC： (Embedded Controller，嵌入式控制器)在一组特定系统中，新增到固定位置，完成一定任务de控制装置就称为嵌入式控制器.

Embedded Chips： (嵌入式)一种特殊用途deCPU，通常放在非计算机系统，如：家用电器.

EPIC： (explicitly parallel instruction code，并行指令代码)英特尔de64位芯片架构，本身不能执行x86指令，但能通过译码器来兼容旧有dex86指令，只是运算速度比真正de32位芯片有所下降.

FADD：（Floationg Point Addition，浮点加）FCPGA(Flip Chip Pin Grid Array，反转芯片针脚栅格阵列)一种芯片封装形式，例：奔腾III 370.

FDIV：（Floationg Point Divide，浮点除）FEMMS（Fast Entry/Exit Multimedia State，快速进入/退出多媒体状态）在多能奔腾之中，MMX和浮点单元是不能同时运行de.新de芯片加快了两者之间de切换，这就是 FEMMS.

FFT：（fast Fourier transform，快速热欧姆转换）一种复杂de算法，可以测试CPUde浮点能力.

FID： (FID：Frequency identify，频率鉴别号码)奔腾III通过ID号来检查CPU频率de方法，能够有效防止Remark.

FIFO： (First Input First Output，先入先出队列)这是一种传统de按序执行方法，先进入de指令先完成并引退，跟着才执行第二条指令.

FLOP： (Floating Point Operations Per Second，浮点操作/秒)计算CPU浮点能力de一个单位.

FMUL： (Floationg Point Multiplication，浮点乘）

FPU： (Float Point Unit，浮点运算单元)FPU是专用于浮点运算de处理器，以前deFPU是一种单独芯片，在486之后，英特尔把FPU与集成在CPU之内.

FSUB： (Floationg Point Subtraction，浮点减）

HL-PBGA：（表面黏著、高耐热、轻薄型塑胶球状矩阵封装）一种芯片封装形式.

IA： (Intel Architecture，英特尔架构)英特尔公司开发dex86芯片结构.

ID：（identify，鉴别号码）用于判断不同芯片de识别代码.

IMM：（Intel Mobile Module,英特尔移动模块）英特尔开发用于笔记本电脑de处理器模块，集成了CPU和其它控制设备.

Instructions Cache：（指令缓存）由于系统主内存de速度较慢，当CPU读取指令de时候，会导致CPU停下来等待内存传输de情况.指令缓存就是在主内存与CPU之间增加一个快速de存储区域，即使CPU未要求到指令，主内存也会自动把指令预先送到指令缓存，当CPU要求到指令时，可以直接从指令缓存中读出，无须再存取主内存，减少了CPUde等待时间.

Instruction Coloring：（指令分类）一种制造预测执行指令de技术，一旦预测判断被相应de指令决定以后，处理器就会相同de指令处理同类de判断.

Instruction Issue：（指令发送）它是第一个CPU管道，用于接收内存送到de指令，并把它发到执行单元.IPC（Instructions Per Clock Cycle，指令/时钟周期）表示在一个时钟周期用可以完成de指令数目.

KNI： (Katmai New Instructions，Katmai新指令集，即SSE) Latency（潜伏期）从字面上了解其含义是比较困难de，实际上，它表示完全执行一个指令所需de时钟周期，潜伏期越少越好.严格来说，潜伏期包括一个指令从接收到发送de全过程.现今de大多数x86指令都需要约5个时钟周期，但这些周期之中有部分是与其它指令交迭在一起de（并行处理），因此 CPU制造商宣传de潜伏期要比实际de时间长.

LDT： (Lightning Data Transport，闪电数据传输总线)K8采用de新型数据总线，外频在200MHz以上.

MMX：（MultiMedia Extensions，多媒体扩展指令集）英特尔开发de最早期SIMD指令集，可以增强浮点和多媒体运算de速度.

MFLOPS： (Million Floationg Point/Second，每秒百万个浮点操作)计算CPU浮点能力de一个单位，以百万条指令为基准.

NI：（Non－Intel，非英特尔架构）

除了英特尔之外，还有许多其它生产兼容x86体系de厂商，由于专利权de问题，它们de产品和英特尔系不一样，但仍然能运行x86指令.

OLGA： (Organic Land Grid Array，基板栅格阵列)一种芯片封装形式.

OoO： (Out of Order，乱序执行)Post-RISC芯片de特性之一，能够不按照程序提供de顺序完成计算任务，是一种加快处理器运算速度de架构.（电脑知识）

PGA：（Pin-Grid Array，引脚网格阵列）一种芯片封装形式，缺点是耗电量大.

Post-RISC：一种新型de处理器架构，它de内核是RISC，而外围是CISC，结合了两种架构de优点，拥有预测执行、处理器重命名等先进特性，如：Athlon.

PSN： (Processor Serial numbers，处理器序列号)标识处理器特性de一组号码，包括主频、生产日期、生产编号等.

PIB：（Processor In a Box，盒装处理器）CPU厂商正式在市面上发售de产品，通常要比OEM（Original Equipment Manufacturer，原始设备制造商）厂商流通到市场de散装芯片贵，但只有PIB拥有厂商正式de保修权利.

PPGA： (Plastic Pin Grid Array，塑胶针状矩阵封装)一种芯片封装形式，缺点是耗电量大.

PQFP： (Plastic Quad Flat Package，塑料方块平面封装)一种芯片封装形式.

RAW： (Read after Write，写后读)这是CPU乱序执行造成de错误，即在必要条件未成立之前，已经先写下结论，导致最终结果出错.

说，寄存器不足已经成为了它de最大特点，因此AMD才想在下一代芯片K8之中，增加寄存器de数量.

架构中，这类情况是常常出现de，如：一个fld或fxch或mov指令需要同一个目标寄存器时，就要动用到寄存器重命名.

Remark：（芯片频率重标识）芯片制造商为了方便自己de产品定级，把大部分CPU都设置为可以自由调节倍频和外频，它在同一批CPU中选出好de定为较高de一级，性能不足de定位较低de一级，这些都在工厂内部完成，是合法de频率定位方法.但出厂以后，经销商把低档deCPU超频后，贴上新de标签，当成高档CPU卖de非法频率定位则称为Remark.因为生产商有权力改变自己de产品，而经销商这样做就是侵犯版权，不要以为只有软件才有版权，硬件也有版权呢.

Resource contention：（资源冲突）当一个指令需要寄存器或管道时，它们被其它指令所用，处理器不能即时作出回应，这就是资源冲突.

Retirement：（指令引退）当处理器执行过一条指令后，自动把它从调度进程中去掉.如果

仅是指令完成，但仍留在调度进程中，亦不算是指令引退.

RISC： (Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)一种指令长度较短de计算机，其运行速度比CISC要快.

SEC：（Single Edge Connector，单边连接器）一种处理器de模块，如：奔腾II.

SIMD： (Single Instruction Multiple Data，单指令多数据流)能够复制多个操作，并把它们打包在大型寄存器de一组指令集，例：3DNow!、SSE.

SiO2F： (Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅)制造电子元件才需要用到de材料.

SOI：（Silicon on insulator，绝缘体硅片）SONC(System on a chip,系统集成芯片)在一个处理器中集成多种功能，如：Cyrix MediaGX.

SPEC： (System Performance eva luation Corporation，系统性能评估测试)测试系统总体性能deBenchmark.

Speculative execution：（预测执行）一个用于执行未明指令流de区域.当分支指令发出之后，传统处理器在未收到正确de反馈信息之前，是不能做任何工作de，而具有预测执行能力 de新型处理器，可以估计即将执行de指令，采用预先计算de方法来加快整个处理过程.

SQRT：（Square Root Calculations，平方根计算）一种复杂de运算，可以考验CPUde浮点能力.

SSE： (Streaming SIMD Extensions，单一指令多数据流扩展)英特尔开发de第二代SIMD指令集，有70条指令，可以增强浮点和多媒体运算de速度.

Superscalar：（超标量体系结构）在同一时钟周期可以执行多条指令流de处理器架构.

TCP：（Tape Carrier Package，薄膜封装）一种芯片封装形式，特点是发热小.

Throughput：（吞吐量）它包括两种含义：

第一种：执行一条指令所需de最少时钟周期数，越少越好.执行de速度越快，下一条指令和它抢占资源de机率也越少.

第二种：在一定时间内可以执行最多指令数，当然是越大越好.

TLBs： (Translate Look side Buffers，翻译旁视缓冲器)用于存储指令和输入/输出数值de区域.

VALU： (Vector Arithmetic Logic Unit，向量算术逻辑单元)在处理器中用于向量运算de部分.

VLIW： (Very Long Instruction Word，超长指令字)一种非常长de指令组合，它把许多条指令连在一起，增加了运算de速度.

VPU： (Vector Permutate Unit，向量排列单元）在处理器中用于排列数据de部分.

篇4：计算机术语名词解释第四讲：光驱术语解释

四、光驱术语解释

CLV技术：（Constant-Linear-Velocity）恒定线速度读取方式.在低于12倍速de光驱中使用de技术.它是为了保持数据传输率不变，而随时改变旋转光盘de速度.读取内沿数据de旋转速度比外部要快许多.

CAV技术：（Constant-Angular-Velocity）恒定角速度读取方式.它是用同样de速度来读取光盘上de数据.但光盘上de内沿数据比外沿数据传输速度要低，越往外越能体现光驱de速度，倍速指de是最高数据传输率.

PCAV技术：（Partial-CAV）区域恒定角速度读取方式.是融合了CLV和CAVde一种新技术，它是在读取外沿数据采用CAV技术，在读取内沿数据采用CAV技术，提高整体数据传输de速度.

UDMA模式：（Ultra-DMA/33），由Intdl和Quantum制定de一种数据传输方式，该方式I/O系统de突发数据传输速度可达33MB/s，还可以降低I/O系统对CPU资源de占用率.现在又出现了UDMA/66，速度多出两倍.

PIOM模式：（PIO-Mode）以前普遍采用de数据传输模式，每个操作都要经过CPU才可完成，占用CPUde大量资源.

SCIC接口：（Small-Computer-Sysem-Interface）是一种新型de外部接口，可驱动多个外部设备；数据传输率可达40MB，以后将成为外部接口de标准，价格昂贵.但占用CPU资源少，工作稳定.

IDE接口：（Integrated-Drive-Electronics）是现在普遍使用de外部接口，主要接硬盘和光驱.采用16位数据并行传送方式，体积小，数据传输快.一个IDE接口只能接两个外部设备.

倍速：指de是光驱数据传输率，国际电子工业联合会把150KB/sde数据传输率定为单倍速光驱.300KB/sde数据传输率也就是双倍速.依次计算得出.

数据传输率：（data-transfer-rate）是指光驱每秒中在光盘上可读取多少千字节（kilobytes）de资料量，直接决定了光驱运行速度.单倍速光驱de数据传输率是150KB/s.

平均读取时间：（Average-Seek-Time）是指激光头移动定位到指定de预读取数据（这时间为rotation-latency）后，开始读取数据，之后到将数据传输至电路上所需de时间.它也是光驱速度de一重要指标.

缓存容量：它提供一个数据缓冲，先将读出de数据暂存起来，然后进行一次性传送.解决与其它设备de速度匹配差距.

激光头：它由中心往外移动在Table-of-Contents区域，通过发射激光来寻找光盘上de指定位置，感应电阻接受到反射出de信号输出成电子数据

CD：（Compact-Disc）光盘.CD是由liad-in（资料开始记录de位置）；而后是Table-of-Contents区域，由内及外记录资料；在记录之后加上一个lead-outde资料轨结束记录de标记.在CD光盘，模拟数据通过大型刻录机在CD上面刻出许多连肉眼都看不见de小坑.

CD-DA：（CD-Audio）用来储存数位音效de光蝶片.1982年SONY、Philips所共同制定红皮书标准，以音轨方式储存声音资料.CD-ROM都兼容此规格音乐片de能力.

CD-G：（Compact-Disc-Graphics）CD-DA基础上加入图形成为另一格式，但未能推广.是对多媒体电脑de一次尝试.

CD-ROM：（Compact-Disc-Read-Only-Memory）只读光盘机.1986年， SONY、Philips一起制定de黄皮书标准，定义档案资料格式.定义了用于电脑数据存储deMODE1和用于压缩视频图象存储deMODE2两类型，使CD成为通用de储存介质.并加上侦错码及更正码等位元，以确保电脑资料能够完整读取无误.

CD-PLUS：1994年，Microsoft公布了新de增强deCDde标准，又称为CD-Elure.它是将CD-Audio音效放在CDde第一轨，而后放资料档案，如此一来CD只会读到前面de音轨，不会读到资料轨，达到电脑与音响两用de好处.

CD-ROM XA：（CD-ROM-eXtended-Architecture）1989年,SONY、Philips、Micuosoft对CD-ROM标准扩充形成de白皮书标准.又分为FORM1、FORM2两种和一种增强型CD标准CD+.

VCD：（Video-CD）激光视盘.SONY、Philips、JVC、Matsu**a等共同制定，属白皮书标准.是指全动态、全屏播放de激光影视光盘.

CD-I：（Compact-Disc-Interactive）年，是Philips、SONY共同制定de绿皮书标准.是互动式光盘系统.1992年实现全动态视频图像播放

Photo-CD: 1989年，KODAK公司推出相片光盘de橘皮书标准，可存100张具有五种格式de高分辨率照片.可加上相应de解说词和背景音乐或插曲，成为有声电子图片集.

CD-R：（Compact-Disc-Recordable）1990年，Philips发表多段式一次性写入光盘数据格式.属于橘皮书标准.在光盘上加一层可一次性记录de染色层，可通进行刻录.

CD-RW：在光盘上加一层可改写de染色层，通过激光可在光盘上反复多次写入数据（计算机基础知识，电脑知识入门学习，请到www.pc6c.com电脑知识网）.

SDCD：（Super-Density-CD）是东芝(TOSHIBA)、日立(Hitachi)、先锋、松下(Panasonic)、JVC、汤姆森 (Thomson)、三菱、Timewamer等制订一种超密度光盘规范.双面提供5GBde储存量，数据压缩比不高

MMCD：（Multi-Mdeia-CD）是由SONY、Philips等制定de多媒体光盘，单面提供3.7GB储存量，数据压缩比较高.

HD-CD：（High-Density-CD）高密度光盘.容量大.单面容量4.7GB，双面容量高达9.4GB，有de达到7GB.HD-CD光盘采用MPEG-2标准.

MPEG-2： 1994年，ISO/IEC组织制定de运动图像及其声音编码标准.针对广播级de图像和立体声信号de压缩和解压缩.

DVD：（Digital-Versatile-Disk）数字多用光盘，以MPEG-2为标准，拥有4.7Gde大容量，可储存133分钟de高分辨率全动态影视节目，包括个杜比数字环绕声音轨道，图像和声音质量是VCD所不及de.

DVD+RW：可反复写入deDVD光盘，又叫DVD-E.由HP、SONY、Phioips共同发布de一个标准.容量为3.0GB，采用CAV技术来获得较高de数据传输率

PD光驱：（PowerDisk2）是Panasonic公司将可写光驱和CD-ROM合二为一，有LF-1000（外置式）和LF-1004（内置式）两种类型.容量为65OMB，数据传输率达5.0MB/s，采用微型激光头和精密机电伺服系统.

ABS平衡系统：（Auto-Balance-System）是DIAMOND-DATA最新推出de三菱钻石系列高倍速光驱所配带de，是在光驱托盘下安上一具钢铢轴承，光驱震动时，钢珠在离心力de作用下到质量轻de部分，起到平衡作用，加大读盘能力.

部分安装：（Partial-Installation）在安装软体时，只安装一些必须或基本de档案，当执行特殊de功能时，再读取或执行光盘中de档案，这样系统便可配合一具有高速度、高效能和高稳定de光驱，达到最佳效能

DVD-RAM：DVD论坛协会确立和公布de一项商务可读写DVD标准.它容量大而价格低、速度不慢且兼容性高.

篇5：术语解释内存双通道

内存双通道这个术语怎么理解?市面上又有哪些支持双通道的芯片组?本文将为你一一解答.

支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P/865G/865GV/865PE/875P以及之后的915/925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片，

双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400/533/800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266/333/400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266/DDR 333/DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板，

双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865/875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。

NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。

普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。

篇6：电脑硬件术语之内存术语解释

BANK：BANK是指内存插槽的计算单位(也有人称为记忆库)，它是计算机系统与内存间资料汇流的基本运作单位，

内存的速度：内存的速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗费的时间来计算，为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位。

内存模块 (Memory Module)：提到内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips，而这内存芯片通常是DRAM芯片，但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量，是决定内存模块的设计的主要因素。

SIMM (Single In-line Memory Module)：电路板上面焊有数目不等的记忆IC，可分为以下2种型态：

72PIN：72脚位的单面内存模块是用来支持32位的数据处理量。

30PIN：30脚位的单面内存模块是用来支持8位的数据处理量。

DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN）用来支持64位或是更宽的总线，而且只用3.3伏特的电压，通常用在64位的桌上型计算机或是服务器。

RIMM：RIMM模块是下一世代的内存模块主要规格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片组所支持的内存模块，其频宽高达1.6Gbyte/sec。

SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）：这是一种改良型的DIMM模块，比一般的DIMM模块来得小，应用于笔记型计算机、列表机、传真机或是各种终端机等，

PLL：为锁相回路,用来统一整合时脉讯号,使内存能正确的存取资料。

Rambus 内存模块（184PIN）：采用Direct RDRAM的内存模块，称之为RIMM模块，该模块有184pin脚，资料的输出方式为串行，与现行使用的DIMM模块168pin，并列输出的架构有很大的差异。

6层板和4层板(6 layers V.S. 4 layers)：指的是电路印刷板PCB Printed Circuit Board用6层或4层的玻璃纤维做成，通常SDRAM会使用6层板，虽然会增加PCB的成本但却可免除噪声的干扰，而4层板虽可降低PCB的成本但效能较差。

SPD：为Serial Presence Detect 的缩写，它是烧录在EEPROM内的码，以往开机时BIOS必须侦测memory，但有了SPD就不必再去作侦测的动作，而由BIOS直接读取 SPD取得内存的相关资料。

Parity和ECC的比较：同位检查码(parity check codes)被广泛地使用在侦错码(error detection codes)上，他们增加一个检查位给每个资料的字元(或字节)，并且能够侦测到一个字符中所有奇(偶)同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。

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